真空鍍膜的種類

 在真空中製（zhì）備膜層，包括鍍製晶態的金屬、半導（dǎo）體、絕緣體等（děng）單質或（huò）化合物（wù）膜。雖然化學汽相沉積也采用減（jiǎn）壓（yā）、低壓或等離子體等真空手段，但一（yī）般（bān）真（zhēn）空鍍膜是（shì）指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜（mó）有（yǒu）三種形式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

蒸發鍍膜 通（tōng）過加熱蒸發（fā）某（mǒu）種物質使其沉積在（zài）固體表麵，稱為蒸發鍍膜。這種方法最早由M.法拉第於1857年提出，現代已成為常用鍍膜技術之一。

蒸發物質如金屬、化合物等置於坩堝內或掛在熱絲上作為（wéi）蒸發源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置（zhì）於坩堝前方。待係統抽至高真空後，加熱坩堝使（shǐ）其中的物（wù）質蒸發。蒸發（fā）物質的原子或分（fèn）子以冷凝方式（shì）沉積在基片表麵。薄膜厚度可由數（shù）百埃至數微米。膜厚決定於蒸發源的蒸發速率和時間（或（huò）決定於裝料量），並與源和基片的距離有關。對於大麵積鍍（dù）膜（mó），常采用旋轉基片或多蒸（zhēng）發源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發源到基片的距離應小於蒸氣分子在殘（cán）餘氣體中的平均自由程，以免蒸氣（qì）分（fèn）子（zǐ）與殘氣分子碰撞引（yǐn）起化學作用。蒸氣分子平均動能約為0.1～0.2電子伏。

蒸發源有三種類型。①電阻加熱源：用難熔金屬如鎢、鉭製成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它上方的或置於坩堝中的蒸發物質,電（diàn）阻（zǔ）加熱源（yuán）主要用於蒸發Cd、

Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。②高頻感應（yīng）加熱源：用高頻感應電流加熱坩堝和蒸發物質。③電子束加熱源：適用於（yú）蒸發溫度（dù）較高（不低於2000[618-1]）的材（cái）料，即用電子束（shù）轟（hōng）擊材料使其蒸發。

鍍銠 鍍白（bái）金 鍍金 鍍鈀鎳（niè）  鍍鈀鎳廠家   鍍鈀鎳公司  深（shēn）圳鍍鈀鎳  陶瓷電鍍